文摘

摘要目的:評估使用甘氨酸air-polishing過程產生的效應和鈉bicarbonate-based粉在不同修複材料的表麵。

方法:有使用nanofilled和nanohybrid複合樹脂和微晶玻璃。10個磁盤(n = 10)的材料是由(6.5毫米×0.5毫米)。他們被分為兩組的5個試片中每個與鈉airpolished bicarbonateand甘氨酸。拋光過程進行的測角60°,10毫米工作距離,10 s, 4條壓力。輪廓曲線儀工作在0.5 mm / s是用來評估粗糙度和掃描電子顯微鏡是用來評估表麵形態。粗糙度測量在所有標本在拋光前作為控製。所有的值進行了分析使用方差分析和圖基測試(p < 0.05)。

結果:雙向方差分析表明,因素“恢複材料”、“拋光粉”(p < 0.0001)以及它們之間的交互作用顯著。Nanohybrid複合處理碳酸氫鈉(0.62±0.20µm)顯示粗糙度值顯著高於其控製比納米複合材料(0.37±0.17)和(0.16±0.01µm)和長石陶瓷(0.17±0.05µm)在處理相同的材料(p < 0.05)。甘氨酸nanohybrid複合處理後呈現顯著降低粗糙度值(0.22±0.07µm)比用碳酸氫鈉治療(p < 0.05),也不是不同的納米複合材料(0.19±0.05)和長石陶瓷(0.14±0.02)治療後用同樣的材料。

結論:小蘇打生產更高nanohybrid表麵粗糙度值,同時也產生了更多的形態學改變這兩個複合樹脂使用。

關鍵字

空氣拋光;甘氨酸粉;小蘇打;複合樹脂;微晶玻璃

介紹

壓縮空氣同時拋光係統排出水和磨粉是一個創傷性較低的選擇方法去除supragingival外在從牙齒汙漬和細菌存款或恢複材料表麵相比,橡皮碗拋光或其他侵入性方法[1,2]。

然而,即使空氣拋光可能產生在牙齒和修複表麵粗糙度(3、4)。表麵損傷牙釉質、水泥和修複材料可能會加速生物膜的積累和能引起審美和牙齦問題,取決於使用的磨粉,噴塗時間、工作距離和測角的表麵清潔(5 - 8)。盡管小蘇打粉主要用於執行空中拋光過程[9],擔心牙齦侵蝕導致的最近發展glycine-based粉。視為高度水溶性氨基酸和莫氏硬度低於NaHCO₃、甘氨酸粉被認為是臨床有效,它有一個低的磨料影響牙齒和修複材料表麵(3 - 12)。

由於空氣拋光方法越來越流行,它是有關澄清效果所產生的不同的拋光粉最常用的材料,可能暴露在這個過程中,複合樹脂和陶瓷等,也澄清如果它們產生的影響是相同的各種各樣的修複材料。

科學證據的影響對於碳酸氫鹽和甘氨酸粉直接和間接修複材料表麵仍然很缺乏,和沒有研究評估這些粉末的影響同時在陶瓷和複合樹脂表麵。因此,它的目的在體外研究研究甘氨酸生產的粗糙度和形態效應和碳酸氫鈉粉末基於兩個複合樹脂具有不同填料粒徑和一個空氣後微晶玻璃表麵拋光過程。

兩個零假設在本研究中設置。第一個零假設是不會有分歧產生的影響兩個拋光粉修複材料的表麵粗糙度。第二個假設集是不會有differenceson修複材料拋光後測試的行為治療方法。

材料和方法

兩個商業複合樹脂(Filtek最高超(納米複合材料)/ 3 m / ESPE,聖保羅,錳;IPS後直接(nanohybrid複合)/ IvoclarVivadent Schaan Lichtenstein)和長石陶瓷(Vitabloc Mark II /維塔,壞Sackingen,德國)使用(表1),每個商業複合樹脂被分發到聚四氟乙烯模具直徑(6.5±0.1毫米和0.5±0.05毫米厚),並立即光固化(Optilight Max、Gnatus、巴西;光輸出:600 mW /厘米²)20秒鍾,製造商的指示。

材料	! /顏色	組成*	製造商
Filtek最高超	N220206 搪瓷A2	Bis-GMA、UDMA、TEGDMA bis-EMA填料(非aglomerated / non-agregated 20納米二氧化矽和4 -納米氧化鋯填料,聚合氧化鋯/二氧化矽集群填料。	美國3 m ESPE聖保羅、錳
“誘導多能性”後直接	R67351 搪瓷A2	利用丙烯酸(UDMA Bis-GMA tricyclodocanedimethanoldimethacrylate),填料40 - 3000海裏(三氟化鋇玻璃、鐿、混合氧化物、二氧化矽,和共聚物)、添加劑、催化劑、穩定劑和色素。	Ivoclar Vivadent Schaan、列支敦士登
Vitablock馬克二世		SiO2,艾爾。2O3,Na2O K2啊,曹,TiO2	維塔,壞Sackingen,德國

表1:修複材料用於本研究* Bis-GMA:雙酚A縮水甘油醚dimethacrilate;UDMA:聚氨酯利用;Bis-EMA:乙氧基雙酚a利用;TEGDMA:三甘醇利用。

十個標本每個nanohybrid複合材料和納米複合材料的等溫地在35°C條件1小時後立即polimerization過程。標本被治愈,並存儲24小時在100%的相對濕度。也,十個圓盤形的標本(直徑6.5±0.1毫米和0.5±0.05毫米厚)從長石陶瓷研磨E4D牙醫係統的CAD / CAM模塊(D4D技術,LLC,理查森,TX)使用custom-mill文件。每個磁盤的兩邊(複合樹脂和玻璃陶瓷)與1000沙礫砂紙拋光為了校準調整粗糙度對所有材料。有一個標本為每個材料不及時治療,以作為形態控製。

空氣拋光過程

標本每個材料被分為兩組5個標本處理兩種不同的研磨粉:碳酸氫鈉(Polidental。E Com Ltda, SP,巴西)和glycine-based粉(Clinpro像是粉、3 m ESPE,來自德國)。所有標本都使用標準空氣拋光處理設備(ProfiII陶瓷——DabiAtlante RibeiraoPreto, SP,巴西)的工作距離10毫米10秒,60°的測角。工作壓力在4.0條。所有標本都用自來水洗淨1分鍾,在水浴超聲清洗10分鍾,和風幹。

表麵粗糙度測量和掃描電鏡程序

測量表麵粗糙度的標本,輪廓曲線儀(1700年Surcorder SE, Kosaca實驗室有限公司、東京、日本)和0.5 mm / s的速度使用(0.25毫米截止)。所有標本測量之前提交給airpolishing過程記錄初始粗糙點每一個(控製)。控製和polishment測量後,三個測量在不同位置(左邊,右邊和中間的磁盤)自動記錄設備,然後計算每個樣本的平均表麵粗糙度(Ra)。最後一組平均得到。獲得的數據進行分析,twoway ANOVAand圖基測試在5%的顯著性水平。

SEM評價,所有標本都安裝在鋁存根,濺射塗以金/鈀粉(SCD 050;鮑爾澤Schaan、列支敦士登)和檢查使用掃描電子顯微鏡(地產5600 lv; JEOL,東京,日本)操作15千伏。

結果

這兩個因素(“恢複材料”(p < 0.0001)和“拋光粉”(p = 0.0055))以及它們之間的相互作用顯著(p < 0.0001)。總結所有的表麵粗糙度意味著表2所示。

粗糙度的方法組織作為控製碳酸氫鈉治療(之前進行拋光處理),顯示材料之間沒有統計學差異,除了nanohybrid複合(IPS後直接),提出了統計值(p < 0.05)高於納米複合材料(Filtek最高超)。甘氨酸組,控製措施證明三個材料內無統計差異(表2)。在治療組與碳酸氫鈉,nanohybrid複合粗糙度意味著在統計學上更高(p < 0.05)比納米複合材料和長石陶瓷(Vitablock Mark II)。對於甘氨酸治療組,未發現統計學差異(p > 0.05)。

nanohybrid複合隻是碳酸氫鈉治療相比,表麵粗糙度上升到其控製(p < 0.05),而甘氨酸治療組無顯著差異的控製。另一方麵,納米複合材料和長石陶瓷顯示他們的控製和治療組之間無統計學差異對拋光治療(p > 0.05)。

代表掃描電鏡顯微照片的控製和治療標本如圖1 - 3所示。

圖1顯示了典型的形態學表麵納米複合材料(控製),而1 b和c的數據顯示表麵的納米複合材料在空氣與甘氨酸拋光粉和小蘇打,分別。總的來說,它可能是定性觀察到控製麵似乎少與碳酸氫鈉比那個粗拋光,但提出了類似的表麵形態,一個甘氨酸處理粉(圖1 a-1c)。此外,納米複合材料表麵處理甘氨酸粉提供了一個平滑表麵形態比air-polished碳酸氫鹽粉(圖1 b和c)。它也可以觀察到小蘇打生產小表麵缺陷(幾填料粒子從表麵脫落)納米複合材料表麵,而甘氨酸粉產生表麵模式可以描述為一種“清潔”,與複合材料´nanofiller剩餘顆粒表麵。

圖1:典型的表麵掃描電鏡形態學圖像:(a)未經處理的納米複合材料表麵(控製);(b)納米複合材料表麵與甘氨酸治療後粉;,(c)納米複合材料表麵與碳酸氫鈉治療後。注意一些filler-particles表麵脫落處理碳酸氫鈉(箭頭)。

圖2展示了未經處理的nanohybrid複合表麵(控製),而圖2 b和2 c顯示nanohybrid複合表麵處理後甘氨酸粉和小蘇打,分別。可能觀察到的不規則形態控製試樣表麵有明顯的劃痕產生的砂紙(圖2)。然而,控製表麵平滑比碳酸氫鈉治療表麵(圖2和圖2 c)。然而,控製表麵的形態方麵披露違規行為多於一個甘氨酸處理粉(圖2 a和2 b)。所以,nanohybrid表麵複合處理甘氨酸粉提供了一個平滑形態表麵比拋光與碳酸氫鈉(圖2 b和c)。同時,它可以觀察到nanohybrid /鈉bicarbonate-treated表麵,表麵顯示大蕭條(貨相當數量的填料粒子從表麵脫落),而甘氨酸,一個平滑的表麵。

圖2:掃描電鏡形態表麵圖像:(a)治療nanohybrid複合表麵(控製);(b) nanohybrid複合表麵處理後甘氨酸粉;,(c) Nanohybrid碳酸氫鈉處理後複合。注意大表麵缺陷產生表麵處理碳酸氫鈉(圈)。

在圖3中,典型的形態長石陶瓷表麵(控製)可以看到,而圖3 b和3 c顯示長石陶瓷表麵的空氣與甘氨酸拋光粉和小蘇打後,分別。它也可以觀察到,控製表麵平滑的處理空氣拋光材料。碳酸氫鈉和甘氨酸粉airpolished表麵呈現相似的形態配置和theyseem常規方麵有一個“幹淨”的或更多。

圖3::典型的掃描電鏡形態表麵形象。(a)未經處理的長石陶瓷表麵(控製);(b)長石陶瓷表麵處理後甘氨酸粉;,(c)長石陶瓷表麵與碳酸氫鈉治療後。

討論

本研究的數據分析表明,這兩個因素都顯著,也發現它們之間的交互。指出產生的影響之間的差異被發現後兩個拋光粉和材料的行為治療,所以兩個假說必須拒絕。

空氣拋光過程被使用在過去的幾年中由於其有效性作為牙周治療的非侵入性的預防方法(7、11、13、14)。然而,擔心其影響牙齒結構和常用牙科材料增長,正如所有牙科組織和材料可能遭受物質損失後的應用這種治療[3]。因此,一定量的表麵損傷預計當執行airpolishing過程無論使用的拋光粉,按照以前的作品[8、10、12、14、15)。

結果顯示這兩個空氣拋光粉在修複材料產生不同的表麵粗糙度值,證實了一個事實形態觀察,不同的表麵模式可以指出在修複材料測試(圖1 - 3)。

關於表麵粗糙度值,它可以指出nanohybrid複合樹脂(IPS)後直接獲得值顯著高於納米複合材料樹脂(Filtek最高超)和長石陶瓷(最後這兩個不是他們之間不同的)當用碳酸氫鈉治療(p < 0.05)(表2),獲得的表麵粗糙度意味著nanohybrid複合樹脂碳酸氫鈉處理時高於甘氨酸粉時(p < 0.05)。因此,所有組中粗糙度意味著最高時獲得nanohybrid複合樹脂是用碳酸氫鈉治療(p < 0.05)。這是按照掃描電鏡圖像,可以觀察到豐富的違規行為產生的碳酸氫鈉治療(圖2)。不同的形態模式可以指出nanohybrid複合樹脂表麵上接受碳酸氫鈉和甘氨酸。甘氨酸粉產生了比這更正則表麵模式由碳酸氫鈉(圖2 b和2 c)和光滑比對照組(砂光標誌出現明顯(圖2),但它可以表示,這種形態差異控製和甘氨酸治療組沒有得到粗糙度值,如發現無統計差異。指出,甘氨酸粉表麵產生一種正則化的模式,這種材料。

相反,SEM圖像納米複合材料樹脂顯示幾乎沒有控製和表麵形態差異處理甘氨酸粉(圖1 a和1 b)。在另一方麵,納米複合材料樹脂表麵用碳酸氫鈉治療顯示一些違規行為和填料粒子脫落。所以,基於形態學分析可以是建議在一般情況下,表麵損壞是更高nanohybrid複合樹脂比納米複合材料樹脂在使用空氣拋光粉,更積極的碳酸氫鈉nanohybrid和納米複合材料樹脂。盡管基於粗糙度值,可以看出隻是碳酸氫鈉產生了更高的表麵粗糙度nanohybrid複合(相比,納米複合材料),而甘氨酸生產沒有統計學上對這任務這兩種材料不同的影響。賈科梅利等。[12]發現,碳酸氫鈉產生更大的缺陷對納米複合材料比甘氨酸樹脂粉末,因此被依照目前的發現。這個事實可以發信號,甘氨酸粉表麵侵蝕產生低於碳酸氫鈉,可能由於小粒徑的甘氨酸,這大約是4倍小於碳酸氫鈉和低磨料crystal-particle特征出現在甘氨酸粉[15]。不同粒徑和甘氨酸的低密度顆粒與碳酸氫鈉粉末相比可能會產生低動能甘氨酸粉來襲時材料表麵(14、16),也可能導致不那麼咄咄逼人影響牙齦[14]。這些問題都是按照以前的研究(3、4、12、17 - 19)。

然而,碳酸氫鈉粗糙度值顯著高於生產甘氨酸粉隻是為了nanohybrid複合樹脂。對納米複合材料樹脂沒有兩種拋光粉”之間的區別。這可以表明這種納米複合材料樹脂是比nanohybrid複合樹脂耐磨損的效果。先前的研究已經報道低一些的屬性nanohybrid複合材料和納米複合材料樹脂相比,也許由於合並pre-polymerized樹脂填料和一些更大的顆粒,可以產生更大的表麵缺陷和粗糙度時提交給穿(20、21)。對於nanohybrid複合樹脂(IPS)後直接填充粒子大小是40 - 3000 nm之間而對於納米複合材料樹脂(Filtek SupremeUltra) 4—納米之間。另一個可能的因素,降低了nanohybrid複合樹脂的耐磨損,填料含量的百分比低於納米複合材料樹脂使用。文獻報道,複合材料有更多的填料比例將更強,硬,更嚴格的[22]。

作者´s知識,沒有其他研究評估碳酸氫鈉和甘氨酸粉對陶瓷材料的影響。在目前的工作,長石質材料測試以及兩個複合樹脂。碳酸氫鈉使用時,長石陶瓷呈現低粗糙度值與nanohybrid複合樹脂相比,而不是不同的納米複合材料樹脂(表2)。這個點粗糙度效應由碳酸氫鈉對長石陶瓷是類似於一個觀察到納米複合材料樹脂,和可能發生的由於其類似的高耐磨性[22]。也可以推斷,因為陶瓷表麵比這兩種粉末粒子,沒有主要形態學改變發生在材料(圖3)。

陶瓷空氣與甘氨酸拋光時,它呈現統計上不不同的粗糙度意味著兩個複合樹脂相比(表2)。事實上,甘氨酸生產類似的粗糙度效應在三個材料。因此,可以推斷,甘氨酸粉生產低粗糙度不管使用的材料。相反,產生更高的粗糙度值和碳酸氫鈉nanohybrid複合樹脂更激進的形態學改變,相比,在這項研究中使用的其他材料。這個可以發信號,可能material-dependent碳酸氫鈉粗糙度效應。

粗糙度影響長石陶瓷由polishment粉相似(表2),相同情況下的納米複合材料樹脂。記住處理後得到的粗糙度值都在0.14(±0.02)和0.19(±0.05)µm(表2),可以推斷出,都有一個可接受的性能,當提交粉末,因為它們是“安全範圍”的表麵粗糙度,以避免高細菌積累,據一位在體外研究表明這個安全範圍約0.20µm [23]。在另一方麵nanohybrid複合樹脂提出了處理後粗糙度值明顯高於0.20µm碳酸氫鈉處理(表2)。

拋光粉	恢複材料
	“誘導多能性”後直接	Filtek最高超	Vitablock馬克二世
Control-Sodium碳酸氫	0.37 (0.17)Aa	0.18 (0.03)Ab	0.25(0.14)藝術展
碳酸氫鈉	0.62(0.17)英航	0.16 (0.01)Ab	0.17 (0.05)Ab
Control-Glycine	0.28 (0.06)Aa	0.24 (0.12)Aa	0.21 (0.05)Aa
甘氨酸	0.22 (0.07)Aa	0.19 (0.04)Aa	0.14 (0.02)Aa

表2:表麵粗糙度意味著(µm)和標準deviavion(括號)獲得從每個測試恢複材料當處理兩個空氣拋光處理(碳酸氫鈉和甘氨酸粉)和各自的對照組。相同大寫字母(列)和小寫字母(行)由圖基測試代表無統計學差異(p < 0.05)。

一般來說這也暗示甘氨酸粉不如碳酸氫鈉表麵損傷引起的。各種研究提到,甘氨酸粉在斑塊有效去除和生產更少的損害牙齒和牙齦結構(8、14 - 16、18)。其他以前的作品在另一方麵,發現少表麵甘氨酸粉造成的損害可能與有限的斑塊和染色切除相比具有更高效的性能碳酸氫鈉的任務,導致推薦的遞增過程采用甘氨酸粉[3]。在目前的工作,執行airpolishing 10年代和菌斑清除沒有評估。因此沒有數據關於血小板去除效率可以從目前的工作,所以未來的調查評估去除菌斑和表麵損傷,應該鼓勵。同時,其他方麵知識與airpolishing使用粉也可以擴展,如牙科敏感性[24],dentin-restorative材料粘結做作[25]和影響鈦植入牙[17]。

在體外研究的局限性,可以得出結論,甘氨酸粉有更好的性能比碳酸氫鈉空氣nanohybrid複合表麵拋光。表麵粗糙度平均值(Ra)提出的納米複合材料和長石陶瓷與nanohybrid相比顯著降低(p < 0.05)當小蘇打粉采用複合粗糙度值。此外,甘氨酸粉之間不產生明顯不同的粗糙度值三個測試材料(p > 0.05)。納米複合材料樹脂和長石陶瓷彼此之間沒有顯著性差異(p > 0.05)。甘氨酸粉產生積極的形態變化對複合樹脂比碳酸氫鈉,而長石陶瓷沒有明顯的形態學觀察兩個粉末之間的差異被錄用。

結論

本研究表明,甘氨酸粉產生積極的形態變化對複合樹脂比碳酸氫鈉,而長石陶瓷沒有明顯的形態學觀察兩個粉末之間的差異被錄用。鈉bicarbonateair拋光生產更高nanohybrid表麵粗糙度值,並產生更多的形態學改變這兩個複合resinsemployed。

臨床意義

科學的原理

空氣的有效使用拋光方法supragingival外在汙漬和生物膜去除與橡皮碗相比拋光或其他侵入性方法已經建立。本研究澄清效果由空氣拋光使用碳酸氫鈉和甘氨酸粉直接(複合樹脂)和間接恢複(微晶玻璃)材料表麵。

臨床研究結果

Glycine-based拋光粉空氣產生積極的影響小於鈉bicarbonate-based粉牙科材料的表麵。

實際意義

甘氨酸空氣拋光粉可用於臨床預防過程沒有產生顯著的表麵破壞商業複合樹脂和微晶玻璃

確認

本文作者想把半徑標注的記憶。Anadelia博爾赫斯蘇亞雷斯,感謝她的寶貴的支持在目前的調查。

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條信息

文章類型:研究文章

引用:德曼氏金融,Murillo-Gomez F,利馬RBW, Sartori CG(2016)空氣拋光過程的影響與甘氨酸和碳酸氫鈉粉末在玻璃陶瓷和複合樹脂的表麵。Int J影響口腔健康2 (5):doi 7090.191 http://dx.doi.org/10.16966/2378

版權:©2016年德曼氏金融,等。這是一個開放的文章下分布式知識共享歸屬許可條款,允許無限製的使用、分配、和繁殖在任何媒介,被認為提供了原作者和來源。

出版的曆史:

收到日期:2016年2月24日

接受日期:2016年3月14日

發表日期:2016年3月21日